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J-GLOBAL ID：200903063667532563

薄膜パターン形成法

Inventor： 津島 宏 ,  住吉 岩夫 ,  横山 正明
Applicant, Patent owner： 日本ペイント株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993239671
Publication number (International publication number)：1995092695
Application date： Sep. 27, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 低コストで、優れたパターン精度の薄膜パターンを形成する方法の提供。【構成】 a) 基材101上に設けられた式(式中R1、R2、R3およびR4は置換もしくは無置換の脂肪族炭化水素残基、脂環式炭化水素残基および芳香族炭化水素残基からなる群からそれぞれ独立して選択される基であり、mおよびnは整数である。)で示される構造のポリシランからなるポリシラン層102を選択的に紫外線110露光して薄膜パターンの潜像を形成する工程と、b) 薄膜パターンの潜像が形成された該ポリシラン層102を、金属酸化物ゾルに浸漬した後に乾燥する工程を包含する薄膜パターンを形成する方法。

Claim (excerpt)：

a) 基材上に設けられた式【化1】(式中R1、R2、R3およびR4は置換もしくは無置換の脂肪族炭化水素残基、脂環式炭化水素残基および芳香族炭化水素残基からなる群からそれぞれ独立して選択される基であり、mおよびnは整数である。)で示される構造のポリシランからなるポリシラン層を選択的に紫外線露光して薄膜パターンの潜像を形成する工程と、b) 薄膜パターンの潜像が形成された該ポリシラン層を、金属酸化物ゾルに浸漬した後に乾燥する工程を包含する薄膜パターンを形成する方法。

IPC (3)：

G03F 7/38 512 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/36