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J-GLOBAL ID：200903063691867371

プラズマ処理装置

Inventor： 加治 哲徳 ,  藤井 敬 ,  吉開 元彦 ,  川崎 義直 ,  西海 正治
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立テクノエンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996156580
Publication number (International publication number)：1996339991
Application date： May. 31, 1991
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【課題】従来、強いプラズマと第2の電極間の電位差が増大し、プラズマと第1の電極もしくは試料との間の電位差が減少してしまう課題があった、またプラズマを均一に生成することも配慮されていなく、異方性プラズマ処理を安定に行なうことができないという課題があった。【解決手段】気密容器の一部もしく気密容器の内部の一部に絶縁体3を有し、該絶縁体3より内部にプラズマを生起させる様構成されたECRプラズマ処理装置において、前記絶縁体3により囲まれた部分に、プラズマに電位を与えるために設置した第2の電極11の少なくとも一部を設置するとともに、前記気密容器にあけられた穴を通して第2の電極の上部からガスを、プラズマを生成する領域に導入することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

低圧のガス又はガス状混合物を内部に蓄える気密容器と、前記気密容器内にガスを導入する手段及び気密容器から絶縁されて該気密容器の内部に設置され、かつ試料を支持する第1の電極と、前記気密容器に接続され該気密容器内でプラズマを生成するためのマイクロ波を発生するマイクロ波発生器と、磁場を発生させるコイルと、前記プラズマに電位を加えるために前記気密容器内に設置された第2の電極と、周波数がマイクロ波の周波数より低く、その振幅が調整可能で、かつ前記第1の電極と前記第2の電極間に加える交流発生器と、前記気密容器の一部もしくは該気密容器の内部の一部に絶縁体を有し、該絶縁体より内側にて前記プラズマが生成される様構成されたプラズマ処理装置において、前記絶縁体により周囲を囲まれた部分に前記第2の電極の少なくとも一部を設置するとともに、前記気密容器にあけられた穴を通して第2の電極の上部からガスをプラズマを生成する領域に導入することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (10)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/35 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (10)：

H01L 21/302 B ,  C23C 14/35 F ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  C30B 23/08 P ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 B ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-103619
  
• 特開平2-205020
  
• 特開平2-211624
  
• 特開平2-294483