半導体ウエーハのエッチング方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：舘野公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996104373
Publication number (International publication number)：1997266194
Application date： Mar. 28, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】エッチング作用のあるアルカリ洗浄液を使用することなく、表面が高度に清浄で、重金属汚染もなく、ピットの発生もない半導体ウエーハが得られる半導体ウエーハのエッチング方法を提供する。【解決手段】実施例では、ラッピング直後のシリコン単結晶ウエーハについて、いずれも常温の処理液により第1エッチング工程、第2エッチング工程、リンス工程の順に処理した。第1エッチング工程、第2エッチング工程では、それぞれウエーハをフッ化水素酸:3、硝酸:5、酢酸:3の混合液中で回転させ、リンス工程では、ウエーハを超純水に浸漬するとともに超純水に超音波を照射した。その結果、ウエーハ表面にピットが発生せず、しかもウエーハを常温のNaOH水溶液に1回浸漬した後、常温の超純水でリンスする従来の洗浄方法と同等に優れた洗浄結果が得られた。

Claim (excerpt)：

酸液を貯溜したエッチング槽を2槽設け、ラッピング後の半導体ウエーハを1段目、ついで2段目のエッチング槽内の酸液に浸漬してエッチングを行うことを特徴とする半導体ウエーハのエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 , C23F 1/08 103 , C23F 1/24

FI (3)：

H01L 21/306 B , C23F 1/08 103 , C23F 1/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

ウェーハのエッチング処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-066408 Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
特開平4-250625
半導体ウェーハのエッチングの後処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-118371 Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社

Show all

Return to Previous Page