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J-GLOBAL ID：200903063699559498
磁気抵抗効果型読み取り変換器
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992221099
Publication number (International publication number)：1994068430
Application date： Aug. 20, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：
【要約】【目的】MR素子の有効幅をMR素子の特性を劣化させずに正確に規定でき狭トラック化、高記録密度化に適合できる磁気抵抗効果型読み取り変換器の提供。【構成】MR素子1と、その上に設けた交換バイアス層2と、磁界検出のため作用せしめるMR素子1の能動領域5に接する交換バイアス層2の第1の部分の膜厚は能動領域5の両側にある受動領域に接する交換バイアス層2の第2の部分の膜厚より薄く予じめ定めた一定値以下の膜厚を有し、交換バイアス層2の第2の部分上に縁部が配置されている分離した一対の導電体3とを有している。
Claim (excerpt)：
磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子上に設けた磁気抵抗変換効率向上用交換結合バイアス印加用反強磁性層と、磁界検出のため作用せしめる前記磁気抵抗効果素子の能動領域である第1の部分に接する前記磁気抵抗変換効率向上用交換結合バイアス印加用反強磁性層の第1の部分の膜厚は前記磁気抵抗効果素子の第1の部分の両側にある受動領域である第2の部分に接する前記磁気抵抗変換効率向上用交換結合バイアス印加用反強磁性層の第2の部分の膜厚より薄く予じめ定めた一定値以下の膜厚を有し、前記磁気抵抗変換効率向上用交換結合バイアス印加用反強磁性層の第2の部分上に縁部が配置されている分離した一対の導電体とを有することを特徴とする磁気抵抗効果型読み取り変換器。
IPC (2)：
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