Pat

J-GLOBAL ID：200903063703617260

半導体製造装置のクリーニング方法

Inventor： 飯塚 勝彦 ,  佐藤 高雅
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991291689
Publication number (International publication number)：1993129246
Application date： Nov. 07, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、半導体製造装置の処理室内に処理により生じた残留物を除去するクリーニング方法に関し、半導体製造装置の処理室内に処理により生じた残留物を効率よく除去することにより、半導体製造装置の稼働率を向上するとともに微細加工を精度の良く行うことができる半導体製造装置のクリーニング方法を提供することを目的とする。【構成】半導体製造装置の処理室1内に処理により生じた残留物をCHF3+O2 の混合ガスを活性化した反応ガスを用いて除去することを含み構成する。

Claim (excerpt)：

半導体製造装置の処理室内に処理により生じた残留物をCHF3 +O2 の混合ガスを活性化した反応ガスを用いて除去することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。