Pat

J-GLOBAL ID：200903063704030549

新規なベンゾピラン誘導体、これを用いたレジスト材料及びこのレジスト材料を用いたパターン形成方法

Inventor： 浦野 文良 ,  根岸 孝明 ,  左右木 徹
Applicant, Patent owner： 和光純薬工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992183020
Publication number (International publication number)：1993194472
Application date： Jun. 17, 1992
Publication date： Aug. 03, 1993
Summary：

【要約】【構成】 一般式(1)【化1】で示されるベンゾピラン誘導体、及びこれを溶解阻害化合物として用いた3成分系レジスト材料、並びにこのレジスト材料を用いたパターン形成方法。【効果】 一般式(1)で示される本発明の新規なベンゾピラン誘導体は3成分系レジスト材料の溶解阻害化合物として極めて有用であり、これを含むレジスト材料を300nm以下の光源、例えば遠紫外光(Deep UV)、例えばKrFエキシマレーザ光(248.4nm)等の露光用レジスト材料として用いた場合には、露光からベーク(加熱処理)までの時間経過に対して安定したパターン寸法の維持が可能な、実用的なサブミクロン〜クォーターミクロンオーダーの形状の良い微細なパターンが得られる。従って本発明は、半導体産業等に於ける超微細パターンの形成にとって大きな価値を有するものである。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)【化1】[式中、R1は炭素数3〜8の分枝状又は環状のアルキル基、炭素数3〜8の直鎖状又は分枝状のアルコキシアルキル基、テトラヒドロピラニル基又はトリメチルシリル基を表わし、R2は水素原子、炭素数3〜8の分枝状又は環状のアルキル基、炭素数3〜8の直鎖状又は分枝状のアルコキシアルキル基、テトラヒドロピラニル基又はトリメチルシリル基を表わし、R3は水素原子、メチル基又はエチル基を表わし、R4、R5、R6及びR7は夫々独立して水素原子又は炭素数1〜5の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表わす。]で示されるベンゾピラン誘導体。

IPC (15)：

C07D311/58 ,  C07D407/12 309 ,  C07D407/14 309 ,  C07F 7/18 ,  C08K 5/15 KFY ,  C08L 25/04 ,  C08L 25/18 LEK ,  C08L 61/06 LMR ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 531 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/47

FI (2)：

H01L 21/30 361 G ,  H01L 21/30 361 L