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J-GLOBAL ID：200903063704765441

立方晶窒化アルミニウム薄膜およびその合成方法

Inventor： 柴田 典義 ,  大久保 総一郎 ,  岡本 曉
Applicant, Patent owner： 財団法人ファインセラミックスセンター ,  住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996127564
Publication number (International publication number)：1997309795
Application date： May. 22, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 立方晶の窒化アルミニウム薄膜を経済的かつ効率的に合成する方法を提供する。【解決手段】 分子線エピタキシー法により窒化アルミニウム薄膜を合成する方法において、室温で立方晶窒化アルミニウムのc面の格子点に近い格子点間距離を有し、かつ窒化アルミニウムとの熱膨張率差が大きい基板を用いることを特徴とする立方晶窒化アルミニウム単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる方法。

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウムとの熱膨張率差の大きな基板上にエピタキシャル成長した立方晶窒化アルミニウム薄膜。

IPC (5)：

C30B 29/38 ,  C30B 23/08 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  H01L 21/205

FI (5)：

C30B 29/38 C ,  C30B 23/08 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 A