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J-GLOBAL ID：200903063711931098

V基固溶体型水素吸蔵合金

Inventor： 松川 篤人 ,  福野 亮 ,  小田川 良基
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 奥山 雄毅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000059871
Publication number (International publication number)：2001247927
Application date： Mar. 06, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Vの含有量に関わらず、また、他の元素を添加することなくプラトー領域を平坦にすることができる水素吸蔵合金及びその製造方法を提供する。【解決手段】 一般式V<SB>x</SB>Ti<SB>y</SB>Cr<SB>z</SB>(ただし、原子比x、y、zは、0<x≦60、1.0≦z/y≦2.0、x+y+z=100とする。)で表せる体心立方構造を有するV基固溶体型合金を主相とし、かつ 前記主相の平均結晶粒径が、5〜30μmであるV基固溶体型水素吸蔵合金である。

Claim (excerpt)：

一般式V<SB>x</SB>Ti<SB>y</SB>Cr<SB>z</SB>(ただし、原子比x、y、zは、0<x≦60、1.0≦z/y≦2.0、x+y+z=100とする。)で表せる体心立方構造を有するV基固溶体型合金を主相とし、かつ 前記主相の平均結晶粒径が、5〜30μmであることを特徴とするV基固溶体型水素吸蔵合金。

IPC (17)：

C22C 27/02 101 ,  C22C 1/00 ,  C22C 1/02 501 ,  C22C 1/02 503 ,  C22C 1/02 ,  C22C 27/06 ,  C22C 30/00 ,  C22F 1/11 ,  C22F 1/18 ,  H01M 4/38 ,  C22C 14/00 ,  C22F 1/00 604 ,  C22F 1/00 661 ,  C22F 1/00 681 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/00 692

FI (19)：

C22C 27/02 101 Z ,  C22C 1/00 N ,  C22C 1/02 501 E ,  C22C 1/02 503 D ,  C22C 1/02 503 E ,  C22C 1/02 503 F ,  C22C 27/06 ,  C22C 30/00 ,  C22F 1/11 ,  C22F 1/18 G ,  C22F 1/18 H ,  H01M 4/38 A ,  C22C 14/00 A ,  C22F 1/00 604 ,  C22F 1/00 661 C ,  C22F 1/00 681 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/00 692 A

F-Term (14)：

5H050AA19 ,  5H050BA14 ,  5H050CA03 ,  5H050CB16 ,  5H050FA19 ,  5H050GA02 ,  5H050GA05 ,  5H050HA00 ,  5H050HA01 ,  5H050HA02 ,  5H050HA05 ,  5H050HA07 ,  5H050HA14 ,  5H050HA20