Pat
J-GLOBAL ID：200903063730167137
磁気抵抗効果素子の磁化方向測定方法及び装置
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 恵一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998078550
Publication number (International publication number)：1999259828
Application date： Mar. 12, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】 反強磁性体によりバイアスされた磁気抵抗効果素子のピンド方向を正しくかつ精度良く測定することができる磁化方向測定方法及び装置を提供する。【解決手段】 反強磁性体によりバイアスされた磁気抵抗効果素子に測定用磁界を印加し、測定用磁界の極性が正及び負の領域におけるこの磁気抵抗効果素子の抵抗の最大値をそれぞれ求め、これら最大値が互いにほぼ等しくなるまで磁気抵抗効果素子と測定用磁界の印加方向とを相対的に回転させ、最大値が互いにほぼ等しくなった時の磁気抵抗効果素子の測定用磁界に対する相対回転角度を求める。
Claim (excerpt)：
反強磁性体によりバイアスされた磁気抵抗効果素子に測定用磁界を印加し、該測定用磁界の極性が正及び負の領域における該磁気抵抗効果素子の抵抗の最大値をそれぞれ求める第1のステップと、該最大値が互いにほぼ等しくなるまで前記磁気抵抗効果素子と前記測定用磁界の印加方向とを相対的に回転させる第2のステップと、該最大値が互いにほぼ等しくなった時の前記磁気抵抗効果素子の前記測定用磁界に対する相対回転角度を求める第3のステップとを備えていることを特徴とする磁気抵抗効果素子の磁化方向測定方法。
IPC (2)：
FI (2)：
Return to Previous Page
