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J-GLOBAL ID：200903063737930596

半導体多層構造

Inventor： 土屋 朋信 ,  谷渡 剛 ,  河野 敏弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992052229
Publication number (International publication number)：1993259577
Application date： Mar. 11, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】高濃度のp-InP層、もしくはp-InP基板上においても、キャリア濃度を制御性良く一定に保つ。【構成】Znの高濃度層と低濃度層の界面、もしくはp-InPバッファ層3中にInGaAsP層2をZnのストッパ層として導入した半導体多層構造。【効果】InGaAsP層によりZnの拡散を抑制でき、キャリア濃度を制御性良く一定に保つことができた。

Claim (excerpt)：

p-InP基板上、もしくは高濃度のp-InP層を含む半導体多層構造において、前記p-InP層中、もしくは高濃度と低濃度層界面に不純物拡散抑制層を有することを特徴とする半導体多層構造。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00