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J-GLOBAL ID：200903063739749970

ナノチューブ電子デバイスおよびその製造方法

Inventor：
秋田 成司

About 秋田 成司

, 
中山 喜萬

About 中山 喜萬


Applicant, Patent owner：
財団法人大阪産業振興機構

About 財団法人大阪産業振興機構


Agent (2)： 河宮 治 ,  石井 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003324963
Publication number (International publication number)：2005093715
Application date： Sep. 17, 2003
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：
【課題】 新規なナノデバイスを実現できるナノチューブ電子デバイスおよびその製造方法を提供することである。【解決手段】 多層カーボンナノチューブ1の層間すべりを利用したナノチューブ電子デバイスは、内層チューブ20と、内層チューブ20の軸方向に沿って相互に変位自在な外層チューブ11a,12a,13aおよび外層チューブ11b,12b,13bと、外層チューブ11a,12a,13a、内層チューブ20および外層チューブ11b,12b,13bの順で通電するための電気回路と、外層チューブ11a,12a,13aおよび外層チューブ11b,12b,13bの少なくとも一方を変位させるための微小変位機構43などで構成され、外層チューブ間の相対変位に応じた電気抵抗Rの変化を利用して、該電気回路に流れる電流Iを制御する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
多層カーボンナノチューブの層間すべりを利用した電子デバイスであって、 内層チューブと、 内層チューブの軸方向に沿って相互に変位自在な第1外層チューブおよび第2外層チューブと、 第1外層チューブ、内層チューブおよび第2外層チューブの順で通電するための電気回路と、 第1外層チューブおよび第2外層チューブの少なくとも一方を変位させるための変位機構とを備え、 外層チューブ間の相対変位に応じた電気抵抗の変化を利用して、該電気回路に流れる通電量を制御することを特徴とするナノチューブ電子デバイス。
IPC (6)：
H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01C10/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04
FI (5)：
H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01C10/00 Z ,  H01L27/04 P
F-Term (11)：
4G146AA11 ,  4G146AD28 ,  4G146BA04 ,  4G146CB21 ,  5E030AA20 ,  5E030BA30 ,  5E030CC01 ,  5E030HA04 ,  5F038AR06 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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