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J-GLOBAL ID：200903063740381692

Ga含有溶液の浄化方法

Inventor： 山田 耕司
Applicant, Patent owner： 同和鉱業株式会社
Agent (1)： 丸岡 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999027021
Publication number (International publication number)：2000226623
Application date： Feb. 04, 1999
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 Gaの電解採取に先立ち、Gaを含む溶液から低コストで簡便にIn,Sn,Cu等の不純物を分離でき、Ga化合物スクラップの浸出液等に対しても好適に適用できる浄液方法の提供を目的とする。【解決手段】 In,Sn,Cuを不純物として含んでいるGaを含有する溶液を被浄化溶液とし、好ましくは60〜100°Cに保持した該溶液をAsO43-イオンとPO43-イオンのうちの少なくともいずれかのイオンとNa+イオン との存在下で、好ましくは20°C以下に冷却することにより不純物成分を含む結晶を生成せしめ、該結晶を固液分離することによって不純物の除去されたGa含有溶液を得る方法とする。また、前記結晶を水で洗浄し、結晶に付着したGaを回収する。前記溶液中のNa+イオンは100g/l以上で、PO43-イオンとAs43-イオンは少なくともいずれかが晶析工程での溶解度を越えて存在するように させる。

Claim (excerpt)：

Gaを含有する溶液から不純物成分を分離する方法であって、該溶液をPO43-イオンとAsO43-イオンのうちの少なくともいずれかのイオンと Na+イオンとの存在下で冷却することにより前記不純物成分を含む結晶を生成せしめ、該結晶を固液分離することによって前記不純物成分の除去されたGa含有溶液を得ることを特徴とするGa含有溶液の浄化方法。

F-Term (6)：

4K001AA11 ,  4K001BA22 ,  4K001DB02 ,  4K001DB17 ,  4K001DB23 ,  4K001DB25