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J-GLOBAL ID：200903063747353244

プラズマ処理装置

Inventor： 大見 忠弘
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991219229
Publication number (International publication number)：1993094898
Application date： Aug. 05, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基体に入射するイオンのエネルギーや密度を精密に制御することが可能であり、かつ、プロセスパラメーターの制御も容易に行うことができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【構成】 高周波電力波形及び高周波電力の測定手段と;測定値に基づいて基体に入射するイオンのエネルギーと密度を演算する演算手段と;プラズマの状態に関連して決まるプロセスパラメーターを記憶するための記憶手段と;記憶手段からの出力により記憶内容を表示するための表示手段と;イオンのエネルギーと密度とを所定の値に設定するための設定手段と;設定手段にイオンのエネルギー値と密度値を入力するための入力手段と;設定手段において設定された値に応じて装置内におけるイオンのエネルギーと密度を設定値に制御するための制御手段と;を少なくとも有する。

Claim (excerpt)：

高周波電力の印加される少なくとも一つの電極とプラズマ処理の対象物である基体を保持するためのホルダーを有するプラズマ処理装置において、前記電極に投入される高周波電力波形及び高周波電力を測定するための手段と;測定された高周波電力波形及び高周波電力の測定値に基づいて前記基体に入射するイオンのエネルギーと密度を演算するための演算手段と;前記イオンのエネルギーと密度の関数としてプラズマの状態に関連して決まるプロセスパラメーターを記憶するための記憶手段と;前記記憶手段からの出力により記憶内容を表示するための表示手段と;イオンのエネルギーと密度とを所定の値に設定するための設定手段と;前記設定手段にイオンのエネルギー値と密度値を入力するための入力手段と;前記設定手段において設定された値に応じて装置内におけるイオンのエネルギーと密度を設定値に制御するための制御手段と;を少なくとも有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/302 ,  H05H 1/00 ,  C23C 14/54