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J-GLOBAL ID：200903063753107328

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 横川 俊哉 ,  熊渕 康仁
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996096495
Publication number (International publication number)：1997283845
Application date： Apr. 18, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 低しきい値電流密度で発振する半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAs基板11上に、n型ZnSeエピタキシャル層12、n型ZnMgSSeクラッド層13、n型ZnSSe光導波層14、ZnCdSe活性層15、p型ZnSSe光導波層16、p型ZnMgSSeクラッド層17、p型ZnTeコンタクト層18、多結晶ZnOとAlOとから成る埋込層19を形成する。さらにp型AuPd電極110とn型In電極111とを形成する。ここでは、多結晶ZnOとAl2O3の積層構造の埋込層19を電流狭窄層と光閉込め層に用いていることにより、熱放散が良いことから低しきい値電流密度と長寿命が実現できる。また効果的な光閉込めにより単一横モードレーザ発振が得られる。

Claim (excerpt)：

II-VI族半導体エピタキシャル層と、該II-VI族半導体エピタキシャル層の上に設けられたZnO層と、 該ZnO層の上に設けられたZnO以外の絶縁物層と、を備える、半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光集積デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-176785   Applicant：日本板硝子株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-044451   Applicant：株式会社東芝