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J-GLOBAL ID：200903063754414208

レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法

Inventor： 吉田 善一 ,  伊東 克通 ,  水口 信一 ,  三露 常男 ,  大川 和宏
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993035102
Publication number (International publication number)：1994248439
Application date： Feb. 24, 1993
Publication date： Sep. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高濃度のP型不純をII-VI族半導体に添加する。【構成】 パルスノズルからの励起窒素ガスの基板への照射とII-VI族半導体構成元素のターゲットへのパルスレーザー照射とを交互に行うことにより、窒素添加された化合物を形成する。

Claim (excerpt)：

パルスレーザー発振器と、集光するレンズと、真空槽と、前記真空槽に設けられたレーザー入射窓と、前記真空槽内にありレーザーが照射されるターゲットと、ターゲット上にありターゲットからレーザー照射により噴出した物質を堆積させる基板と、基板にガスを吹き付けるためのパルス動作のノズルとを備え、パルスレーザーとパルスノズルとを交互に動作させるレーザーアブレーション装置。