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J-GLOBAL ID：200903063754837125
半導体膜の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991255328
Publication number (International publication number)：1993094954
Application date： Oct. 02, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：
【要約】【目的】アモルファスシリコン膜が熱処理工程を経て再結晶化する時のグレインサイズを大きくすることが可能になり、アモルファスシリコン膜を使用した素子の特性を向上させ得る半導体膜の形成方法を提供する。【構成】半導体ウェハー10上に形成された絶縁膜12上にアモルファスシリコン膜を形成する際、半導体ウェハーを減圧型または常圧型のCVD装置の反応管内に挿入し、この反応管内を減圧または常圧の状態に保ち、酸化性ガスを流してウェハー表面を酸素パージする工程と、これに連続して上記反応管内でウェハー表面にアモルファスシリコン膜を堆積形成する工程とを具備することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体ウェハー上に形成された絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成する際、半導体ウェハーを減圧型または常圧型の化学気相成長装置の反応管内に挿入し、この反応管内を減圧または常圧の状態に保ち、酸化性ガスを流してウェハー表面を酸素パージする工程と、これに連続して上記反応管内でウェハー表面にアモルファスシリコン膜を堆積形成する工程とを具備することを特徴とする半導体膜の形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/205
, H01L 21/20
, H01L 21/336
, H01L 29/784
