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J-GLOBAL ID：200903063758542243

半導体装置

Inventor： 中谷 光徳 ,  中野 博文
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996183902
Publication number (International publication number)：1998032223
Application date： Jul. 15, 1996
Publication date： Feb. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高周波回路で使用しても十分な電磁シールド効果が得られ、しかも従来のセラミックパッケージを用いるよりも製造コストを大幅に安価にすることができる半導体装置を提供する。【解決手段】 能動層4が形成された基板1を金属壁3で囲むとともに、配線9を有するTABテープまたはプリント基板8を上記金属壁3及び能動層4のバンプ配線2と当接させることによりパッケージ構造とし、さらに、基板1表面とTABテープまたはプリント基板8の表面に金属層30,32を設ける。

Claim (excerpt)：

その片側面に高周波回路が形成された回路基板と、上記回路基板の他方の片側面全面に形成された第1の金属層と、上記回路基板の上記高周波回路が形成された面に配置され、上記高周波回路と電気的に接続するバンプ配線と、上記回路基板の上記高周波回路が形成された面に、上記高周波回路を囲むようにして設けられた金属壁と、その片側面に上記バンプ配線に対応して配置された配線を有し、上記回路基板上に積層して、上記配線と上記バンプ配線とが電気的に接続されるとともに、上記金属壁と当接して上記高周波回路が形成された領域を封止する配線用基板と、上記配線用基板の他方の片側面全面に形成された第2の金属層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 301 Z ,  H01L 23/30 R