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J-GLOBAL ID：200903063759828124
半導体量子井戸箱の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
大野 精市
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991086050
Publication number (International publication number)：1993063305
Application date： Mar. 26, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 結晶面に依存性がなく、結晶にダメージのない半導体量子井戸箱の製造方法を提供する。【構成】 気相成長法による結晶成長の初期過程を利用して、2族または3族の溶融金属に濡れ性の悪い基板10上に、その溶融金属の微細な液滴を形成し、その後夫々4族または5族の原子を含む原料を供給して、前記液滴にその原子を拡散して半導体微結晶を形成する半導体量子井戸箱の製造方法。
Claim (excerpt)：
2族または3族の溶融金属と濡れ性が悪い基板上に、その原料を供給し、2族または3族の原子からなる微細な液滴を形成する工程と、その後6族または5族の原子を含む原料を供給して前記2族または3族の液滴に夫々6族または5族原子を拡散して半導体の微結晶を形成する工程とからなり、前記2族または3族の原料の供給量が50nmの平均膜厚の前記金属膜を基板上に生成するのに必要な量以下であることを特徴とする2-6族化合物または3-5族化合物の半導体量子井戸箱の製造方法。
IPC (2)：
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