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J-GLOBAL ID：200903063783297229
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991313977
Publication number (International publication number)：1993129658
Application date： Oct. 30, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】 光の取出効率を向上させると共に電極間の抵抗成分を低く抑える。【構成】 n型の窒化ガリウム系化合物半導体(Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N;0≦X<1)から成るn層4と、n層4に接合するp型不純物を添加した半絶縁性のi型の窒化ガリウム系化合物半導体から成るi層5とを有する発光素子において、i層5の表面に形成された透明導電膜から成る第1の電極7と、i層5の側からn層4に接続するように形成された第2の電極8とから成りi層5の側から外部に発光させるようにした。第1の電極に対してスポットで電流を注入させても、第1の電極全体を均一の電位とし、第1の電極の下方の全面から発光し、透明な第1の電極の側から光が取り出される。
Claim (excerpt)：
n型の窒化ガリウム系化合物半導体(Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N;0≦X<1)から成るn層と、前記n層に接合するp型不純物を添加した半絶縁性のi型の窒化ガリウム系化合物半導体(Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N;0≦X<1)から成るi層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記i層の表面に形成された透明導電膜から成る第1の電極と、前記i層の側から前記n層に接続するように形成された第2の電極とから成り前記i層の側から外部に発光させることを特徴とする半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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