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J-GLOBAL ID：200903063809049121

半導体装置

Inventor： 畑 雅幸
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993094137
Publication number (International publication number)：1994310735
Application date： Apr. 21, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 面内方向における量子閉じ込め効果が高められており、従って閉じ込めポテンシャルが大きくかつ閉じ込め幅の狭い量子細線、もしくは量子ドット構造を有する半導体装置を提供する。【構成】 半絶縁性GaAs(110)基板11上において、GaInAsよりなる単一量子井戸層14を有する量子井戸構造を構成し、その上にメサ型ストライプ溝17が形成されることにより歪み印加層として機能するGaAs層16及び多重量子井戸層18を形成し、変形ポテンシャルの変化と量子井戸層14における圧電ポテンシャルの変化の和により、〔-1,1,1〕方向における量子閉じ込めを果たす、半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板上に量子井戸構造を構成するために形成された閃亜鉛鉱型結晶構造を有する量子井戸層とを備え、前記量子井戸層に面内方向に歪み変化を加えることにより量子細線もしくは量子ドット構造を形成してなる半導体装置において、前記半導体基板は、前記量子井戸層の面内方向において該量子井戸層に圧電ポテンシャルが生じる方向を含む結晶方位に配向されており、前記面内方向の歪み変化を与えるために、前記量子井戸層に直接または間接に積層されており、かつ量子井戸層の圧電ポテンシャルが発生する方向に面内歪み変化を与える歪み印加層を備えることを特徴とする、半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/804 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/06