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J-GLOBAL ID：200903063812681475

デバイスの製造方法

Inventor： アンソニー エドワード ノヴェンヴァー
Applicant, Patent owner： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992195728
Publication number (International publication number)：1993206020
Application date： Jul. 23, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【構成】 本発明の方法は、基材上に放射線感受性材料を堆積させること、前記材料を焼付けること、前記材料をパターン化した活性線放射線で露光すること、前記露光後に前記材料を焼付けること、前記材料を現像剤にさらしてパターンを形成すること、および前記パターン形成された材料をデバイスの製造に使用する工程からなるデバイスの製造方法であって、前記感光性材料が保護基を含む置換基を有する材料からなること、および露光区域と非露光区域との間の厚さの差が非露光区域における前記材料の厚さの30%未満になるように、前記露光後の前記焼付けの後で、ただし前記現像剤にさらす前に、十分な量の前記基を前記重合体から除去することを特徴とする方法である。【効果】 特殊な処理により、電子デバイスのようなデバイスの製造に使用される化学的に増幅されたレジストの感度及びドライエッチングパターン制御性が著しく高くなり、画像品質が改良され。

Claim (excerpt)：

基材上に放射線感受性材料を堆積させること、前記材料を焼付けること、前記材料をパターン化した活性放射線で露光すること、前記露光後に前記材料を焼付けること、前記材料を現像剤にさらしてパターンを形成すること、および前記パターン形成された材料をデバイスの製造に使用する工程からなるデバイスの製造方法であって、前記感光性材料が保護基を含む置換基を有する材料からなること、および露光区域と非露光区域との間の厚さの差が非露光区域における前記材料の厚さの30%未満になるように、前記露光後の前記焼付けの後で、ただし前記現像剤にさらす前に、十分な量の前記基を前記重合体から除去することを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/38 501

FI (2)：

H01L 21/30 361 K ,  H01L 21/30 361 R