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J-GLOBAL ID：200903063815079440

半導体チップキャリアおよびその製造方法

Inventor： 高橋 正昭 ,  阿部 洋一 ,  加藤 明 ,  荻原 覚 ,  篠原 浩一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991342718
Publication number (International publication number)：1993175353
Application date： Dec. 25, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【構成】チップキャリアは内部に導体2をもち、スルーホール導体によって半導体チップ1とモジュール基板13が接続される。チップキャリアの一方の表面には、セラミックス表面の凹凸を緩和する平坦化膜5とスルーホール導体の位置ずれを補正するための整合層4が形成され、コンデンサは下部電極6上に絶縁物7と誘電体膜8を形成し、熱処理した後上部電極9を被着する。コンデンサ形成後は表面に保護膜10を被着する。絶縁物,誘電体膜や保護膜等の一部には半導体チップとの接続のためのスルーホール導体が形成されている。【効果】大幅に誤動作が少なくなり、薄膜の段切れを防止することができる。

Claim (excerpt)：

半導体チップとモジュール基板とがセラミックスチップキャリア内に形成されたスルーホール導体を介し、ろう材によって互いに接続された半導体装置の前記セラミックスチップキャリアにおいて、半導体チップを搭載する側のセラミックスの表面にセラミックス表面を平坦化する領域と前記セラミックスチップキャリア内に形成されたスルーホール導体の位置ずれを補正する整合領域と電源ノイズを除去するためのコンデンサ領域及びコンデンサの保護領域が形成され、前記各領域内には半導体チップとモジュール基板とを電気的に接続するためのスルーホール導体が形成されていることを特徴とする半導体チップキャリア。

IPC (5)：

H01L 23/12 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 21/90 ,  H01L 25/00 ,  H01L 27/04

FI (2)：

H01L 23/12 F ,  H01L 23/12 N