Pat

J-GLOBAL ID：200903063816076983

エピタキシャルウエハの検査方法

Inventor： 川野 充郎 ,  野崎 千晴
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991333048
Publication number (International publication number)：1993166908
Application date： Dec. 17, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 格子不整合接合を有するエピタキシャルウエハについて非破壊、かつ全数を検査できる検査方法を提供する。【構成】 格子不整合を有する接合により量子井戸層が形成されているエピタキシャルウエハについて、該エピタキシャルウエハの前記量子井戸層からの室温のフォトルミネッセンススペクトルの半値幅Fを測定し、該半値幅と前記量子井戸層の井戸幅Wとを用い、F=a/W+b(a、bは定数)なる関係により求められる定数aにより合否を判定するエピタキシャルウエハの検査方法。就中、前記エピタキシャルウエハがAlGaAs/InGaAs/GaAs接合よりなる歪格子型HEMTにおいて、定数aが7000meV・A以下を合格と判定する。

Claim (excerpt)：

格子不整合を有する接合により量子井戸層が形成されているエピタキシャルウエハの検査工程において、該エピタキシャルウエハの前記量子井戸層からの室温のフォトルミネッセンススペクトルの半値幅Fを測定し、該半値幅と前記量子井戸層の井戸幅Wとを用いて、F=a/W+b(a、bは定数)なる関係により求められる定数aにより、前記エピタキシャルウエハの検査における合否を判定することを特徴とするエピタキシャルウエハの検査方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/64 ,  H01L 29/205