薄膜のパターニング方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996318396
Publication number (International publication number)：1998163174
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】少なくとも二つの異なる材料または膜厚からなる被エッチング膜を、1回のパターニング工程でエッチングできるパターニング方法を提供する。【解決手段】絶縁性基板1上にゲート配線2を形成し、ゲート配線2上にゲート絶縁膜3、ドープを行っていないアモルファスシリコンからなるi層4及びリン等を高濃度でドープしたシリコンからなるn+層5を順次積層する。次に、レジスト6を塗布してパターニングする際に、所望する部位にレジストの薄い部分6aを設け、レジスト6をアッシングしながらドライエッチングを行うことにより、レジスト6が存在していない部位のn+層5及びi層4をエッチングするとともに、レジストの薄い部分6aの下層のn+層5をエッチングする。エッチング後のレジスト6bは、一部がアッシングされているため薄くなっている。そして、レジスト6を剥離してTFTのチャネル部7を形成する。

Claim (excerpt)：

被エッチング膜上にレジストを塗布する工程と、前記レジストを所望のパターンのフォトマスクを用いて感光させる工程と、前記レジストを所望のパターンに現像する工程と、前記被エッチング膜をドライエッチングする工程とを有する薄膜のパターニング方法において、前記レジストを少なくとも二つの異なる膜厚に現像し、前記レジストをアッシングしながら前記被エッチング膜をドライエッチングすることを特徴とする薄膜のパターニング方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , G02F 1/136 500 , H01L 21/027 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/302 H , G02F 1/136 500 , H01L 21/30 573 , H01L 29/78 627 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

フォトマスク及びフォトマスクの製造方法及びエッチング方法及び露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-183551 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平2-156624
特開昭63-258022

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