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J-GLOBAL ID：200903063850189797
位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 静男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993323845
Publication number (International publication number)：1995181664
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 簡単な膜構成により電子線描画時の電荷蓄積や静電気による帯電を防止できるハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びこれを素材としたハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。【構成】 透明基板上に光半透過膜を有し、この光半透過膜が、遷移金属とケイ素とを少なくとも含む膜からなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクおよびこの位相シフトマスクブランクの光半透過膜に、所定のパターンにしたがってその一部を除去するパターニング処理を施すことにより、光透過部と光半透過部とからなるマスクパターンを形成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
Claim (excerpt)：
透明基板上に光半透過膜を有し、この光半透過膜が、遷移金属とケイ素とを少なくとも含む膜からなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
IPC (3)：
G03F 1/08
, G03F 1/14
, H01L 21/027
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
