Pat

J-GLOBAL ID：200903063852770950

発光ダイオードの形成方法

Inventor： 吉田 寛和
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998035272
Publication number (International publication number)：1999233832
Application date： Feb. 17, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】発光素子からの発光を波長変換して発光可能な蛍光体を有する発光ダイオードの発光方位、色調ムラを改善した形成方法を提供するものである。【解決手段】基体上に配された発光素子と、発光素子上に発光素子からの発光波長の少なくとも一部を吸収し蛍光を発する蛍光体を配置してある発光ダイオードの形成方法である。特に、基体上に配された発光素子202と間隙を介して対向する帯電部211に正又は負に帯電させた蛍光体201を保持させる工程と、基体上に配された発光素子202と帯電部211との間に電圧を印加し、発光素子側を前記蛍光体の帯電と異なる負極又は正極にさせる工程を持つ。これにより蛍光体を発光素子上に配置させる発光ダイオードの形成方法である。

Claim (excerpt)：

基体上に配された発光素子と、該発光素子上に発光素子からの発光波長の少なくとも一部を吸収し蛍光を発する蛍光体を配置してある発光ダイオードの形成方法であって、前記基体上に配された発光素子(202)と間隙を介して対向する帯電部(211)に正又は負に帯電させた蛍光体(201)を保持する工程と、前記基体上に配された発光素子(202)と帯電部(211)との間に電圧を印加し、発光素子側を前記蛍光体の帯電と異なる負極又は正極にさせることにより、前記蛍光体を発光素子上に配置させる工程とを有することを特徴とする発光ダイオードの形成方法。

FI (2)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭49-122677
  
• 特開昭61-267227
  
• 特開昭61-267229