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J-GLOBAL ID：200903063863487401

超音波プローブ

Inventor： 手塚 智
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993002720
Publication number (International publication number)：1994205779
Application date： Jan. 11, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】マッチング層上面からバッキング層上面までの深さの精度を確保して溝加工のスループットを改善するとともに溝加工を行ってもアレイピッチに変化が生じないようにし、さらに微小ピッチでアレイを形成可能な超音波プローブを提供する。【構成】本発明の超音波プローブは、超音波を送受信可能な圧電体2の両面に整合層3およびバッキング層12をそれぞれ接続して層構造とし、この層構造に所定の溝5を形成してアレイ構造としてある。バッキング層12は、機械応力および熱応力に対する変形量が所定の値以下の材料で基板層13を形成し、この基板層13に所定の厚さを持つ薄膜層14を接続してある。

Claim (excerpt)：

超音波を送受信可能な圧電体の両面に整合層およびバッキング層をそれぞれ接続して層構造とし、この層構造に所定の溝を形成してアレイ構造としたアレイ型トランスデューサーを備えた超音波プローブにおいて、前記バッキング層は、機械応力および熱応力に対する変形量が所定の値以下の材料で基板層を形成し、この基板層に所定の厚さを持つ薄膜層を接続したことを特徴とする超音波プローブ。

IPC (4)：

A61B 8/14 ,  G01N 29/24 502 ,  H04R 17/00 330 ,  H04R 17/00 332

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭56-047196
  
• 特開昭60-035256