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J-GLOBAL ID：200903063863635346

炭化ケイ素層上に形成される窒化酸化物層の処理方法

Inventor：
アダム ウィリアム サクスラー

About アダム ウィリアム サクスラー

, 
ムリナル カンティ ダス

About ムリナル カンティ ダス


Applicant, Patent owner：
クリー インコーポレイテッド

About クリー インコーポレイテッド


Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004536050
Publication number (International publication number)：2005537677
Application date： Aug. 25, 2003
Publication date： Dec. 08, 2005
Summary：
炭化ケイ素層上に形成される窒化酸化物層は、実質的に無酸素の窒素を含有した環境下での窒化酸化物層のアニーリングによって処理される。アニーリングは、約900°Cより高い温度で、例えば、約1100°Cの温度で、約1200°Cの温度で、又は約1300°Cの温度で実施することができる。窒化酸化物層のアニーリングは、約1気圧より低い圧力で、例えば、約0.01気圧から約1気圧までの圧力で、又は具体的には約0.2気圧の圧力で実施することができる。窒化酸化物層は、N2O及び/又はNOを含有した環境下で成長させた酸化物層、N2O及び/又はNOを含有した環境下でアニールされた酸化物層、あるいはN2O及び/又はNOを含有した環境下で成長しアニールされた酸化物層とすることができる。
Claim (excerpt)：
炭化ケイ素層上に形成される窒化酸化物層の処理方法であって、 前記窒化酸化物層を、実質的に無酸素の窒素を含有した環境下でアニールするステップを含むことを特徴とする処理方法。
IPC (2)：
H01L21/318 ,  H01L29/78
FI (2)：
H01L21/318 C ,  H01L29/78 301B
F-Term (14)：
5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BF63 ,  5F058BF64 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F140BA02 ,  5F140BD09 ,  5F140BE06 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 米国特許公開第2002/0102358号明細書
  • 米国特許公開第2002/0072247号明細書
  • 米国特許出願第09/834,283号明細書
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Cited by examiner (2)

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