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J-GLOBAL ID：200903063878985122
半導体装置の製造方法およびハーフトーンマスク
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998152692
Publication number (International publication number)：1999344799
Application date： Jun. 02, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：
【要約】【課題】 ハーフトーンマスクに特有の逆位相光に起因する不要パターンの発生の有無を短時間に、高い精度で、検証する。【解決手段】 要素図形データベース10に設定されている複数の要素図形3について演算部20にて、予め時間のかかる図形周囲の光強度や位相等の分布状態の計算をフーリエ解析演算等により行い、光強度ライブラリとしてライブラリ30に格納しておく。検査部50により、描画図形データベース40に格納されているハーフトーンマスク1の製作のための描画図形による不要パターンの発生の有無を検証するときは、描画図形に対応した複数の要素図形の計算結果をライブラリ30から読み出し、重ね合わせ演算により、高速かつ高精度にレジスト感度を越える逆位相の露光光の発生に起因する不要パターンの有無を判別し、出力インタフェース部60に検証結果を出力する。
Claim (excerpt)：
ハーフトーンマスクを露光原版として用いるフォトリソグラフィにて半導体ウェハにパターンを転写することにより前記半導体ウェハに半導体装置を形成する半導体装置の製造方法であって、前記ハーフトーンマスクに形成される露光パターンを構成する複数の要素図形の各々について前記要素図形の周囲における光強度および位相の分布情報を予め計算してライブラリに格納する第1のステップと、前記ハーフトーンマスクに形成すべき前記露光パターンの設計データに基づいて、前記設計データを構成する複数の前記要素図形に関する前記分布情報を前記ライブラリから取り出して重ね合わせ演算を行うことにより、前記露光パターンによる前記半導体ウェハの露光において前記露光パターン以外の不要パターンの発生の有無を検証する第2のステップと、前記第2のステップにおける前記不要パターンの発生の有無の検証結果に基づいて、前記設計データを修正する第3のステップと、によって、前記ハーフトーンマスクを製作することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
