ミクロファブリケーション用基板、その製造方法および像状薄膜形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001240761
Publication number (International publication number)：2003058077
Application date： Aug. 08, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】微細素子の製作に際してフォトリソグラフィによるパターニングを施すことなく、低コストで簡易に半導体素子、集積回路、画像ディスプレー用デバイス等の微細素子を作製するための基板、該基板の作製方法、及び該基板を用いる薄膜形成方法を提示すること。【解決手段】少なくとも活性光の照射又は熱の印加によって親水性化する表面を有する原板にパターン状又は逆パターン状の活性光照射又は熱印加を行って親水性化することによって、所定の流動体に対して親和性のない非親和性領域中に規則的に配列した複数の微小親和性領域を設け、該規則的に配列した複数の微小親和性領域にまたがる一定の面積に、前記流動体を連続して受容可能としたことを特徴とするミクロファブリケーション用基板及びその基板を用いる薄膜形成方法。

Claim (excerpt)：

活性光の照射又は熱の印加によって親水性化する表面を有する原板にパターン状又は逆パターン状の活性光照射又は熱印加を行って親水性化することによって、所定の流動体に対して親和性のない非親和性領域中に、所定の流動体に対して親和性のある該パターンに対応して規則的に配列した複数の微小親和性領域を設け、該規則的に配列した複数の微小親和性領域の一定の面積にまたがって、前記流動体を連続して受容可能としたことを特徴とするミクロファブリケーション用基板。

IPC (10)：

G09F 9/30 310 , B01J 35/02 , B41M 5/00 , G02B 5/20 101 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1343 , G03F 7/20 501 , H01L 21/288 , H05B 33/10 , H05B 33/14

FI (10)：

G09F 9/30 310 , B01J 35/02 J , B41M 5/00 A , G02B 5/20 101 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1343 , G03F 7/20 501 , H01L 21/288 Z , H05B 33/10 , H05B 33/14 A

F-Term (60)：

2H048BA11 , 2H048BA64 , 2H048BB42 , 2H086BA01 , 2H086BA11 , 2H086BA19 , 2H086BA59 , 2H090JC07 , 2H090JC19 , 2H092HA02 , 2H092HA06 , 2H092KA19 , 2H092MA02 , 2H092MA12 , 2H097CA11 , 2H097LA12 , 3K007AB18 , 3K007CA00 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4G069AA03 , 4G069AA08 , 4G069BA01A , 4G069BA02A , 4G069BA04A , 4G069BA04B , 4G069BA14A , 4G069BA14B , 4G069BA48A , 4G069BB04A , 4G069BB04B , 4G069BB06A , 4G069BC01A , 4G069BC08A , 4G069BC21A , 4G069BC22A , 4G069BC23A , 4G069BC25A , 4G069BC35A , 4G069BC35B , 4G069BC38A , 4G069BC49A , 4G069BC50A , 4G069BC53A , 4G069BC66A , 4G069EA11 , 4G069ED02 , 4G069FA03 , 4G069FB01 , 4G069FB02 , 4G069FB03 , 4G069FB23 , 4G069FB58 , 4M104AA09 , 4M104BB08 , 4M104DD51 , 4M104DD61 , 5C094AA43 , 5C094DA15 , 5C094EB01

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