半導体素子及び半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001338170
Publication number (International publication number)：2003142684
Application date： Nov. 02, 2001
Publication date： May. 16, 2003
Summary：

【要約】【課題】特性制御を簡単化すると共に製造工程を簡略化できる半導体素子及び半導体装置を提供すること。【解決手段】 MOSトランジスタはシリコン基板1の表面内に設けられたn+型のドレイン領域10と、ドレイン領域10の表面内に設けられたp型のウェル領域11と、ウェル領域11の表面内に設けられたn+型のソース領域12と、ソース領域12表面からドレイン領域10に達する深さにゲート絶縁膜14を介在して、シリコン基板1表面内に埋め込み形成されたゲート電極13とを具備し、ドレイン領域10及びウェル領域11の一部はシリコン基板1表面まで引き出されていることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面内に設けられた第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域の表面内に設けられた第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域の表面内に設けられた第1導電型の第3半導体領域と、前記第3半導体領域表面から前記第1半導体領域に達する深さにゲート絶縁膜を介在して、前記半導体基板表面内に埋め込み形成されたゲート電極とを具備し、前記第1、第2半導体領域の一部は前記半導体基板表面まで引き出されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (7)：

H01L 29/78 , H01L 29/78 653 , H01L 21/8238 , H01L 21/8244 , H01L 27/092 , H01L 27/11 , H01L 29/43

FI (7)：

H01L 29/78 653 B , H01L 29/78 301 X , H01L 27/08 321 G , H01L 27/08 321 F , H01L 27/08 321 K , H01L 27/10 381 , H01L 29/62 G

F-Term (71)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104DD26 , 4M104DD43 , 4M104FF01 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG16 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AA09 , 5F048AB01 , 5F048AB04 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB19 , 5F048BC03 , 5F048BD07 , 5F048BE03 , 5F048BE09 , 5F048BF16 , 5F048BG14 , 5F083BS03 , 5F083BS04 , 5F083BS15 , 5F083BS16 , 5F083BS27 , 5F083BS47 , 5F083BS48 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA28 , 5F083JA32 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR21 , 5F083PR36 , 5F083PR40 , 5F140AA06 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC33 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA07 , 5F140BB04 , 5F140BB06 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BC15 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF43 , 5F140BG28 , 5F140BG40 , 5F140BH05 , 5F140BH06 , 5F140BH25 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BK13 , 5F140BK17 , 5F140CE07

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