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J-GLOBAL ID：200903063895584034

SOI電界効果トランジスタ

Inventor： セオドアー ダブリユ.ヒユーストン ,  ゴードン ピー.ポラツク
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992014013
Publication number (International publication number)：1993067787
Application date： Jan. 29, 1992
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ボディコンタクトとボディの離れた領域との間の抵抗を減じたSOIMOSトランジスタを得る。【構成】 絶縁体上のシリコン(SOI)のMOSトランジスタ(200)が開示されており、それはドレイン(24)およびソース(23)の延長されたドレインおよびソース部分(26)の一方または両方の下側にボディと同じ伝導形の打ち込み領域(32)を含んでおり、BTSコンタクトまたは一般的なボディコンタクトを備えるか、または備えていない。ポケット打ち込み領域のみを備えることで、バックゲートしきい値電圧が増大してバックゲート電流の流れる可能性を減じている。ポケット打ち込み領域とボディコンタクトとを備えることで、浮遊ボディ効果が最小化されている。BTSコンタクトがソース中にポケット打ち込みの広がりと同程度に広がって位置していることのためにデバイスのチャネルに対する影響は無視できる。例えば、シリサイド化によってソースとボディとの間にオーミックな接続が実現される。

Claim (excerpt)：

絶縁膜上を覆う半導体層中に作製された電界効果トランジスタであって、第1の伝導形で第1と第2の側面を有するボディノード部分、前記半導体層中に形成されたドレイン領域とソース領域であって、前記ドレインおよびソース領域が第2の伝導形であり、前記ドレインおよびソース領域が前記ボディノード部分に隣接して形成されており、また前記ソースおよびドレインのうちの少なくとも一方が前記ボディノード部分へ向かって延びる部分を含んでいるようなソース領域とドレイン領域、前記ボディノード部分から延びて前記ドレインとソースの少なくとも一方の延長部の下側に位置する前記第1の伝導形のポケット打ち込み領域であって、前記ボディノード部分よりも高濃度にドープされたポケット打ち込み領域、前記ボディノード部分を覆うゲート電極、を含むトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/22 ,  H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-159767
  
• 特開平3-168683
  
• 特開平3-168682
  
• 特開平2-144969