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J-GLOBAL ID：200903063897177991
電界放出型電子源の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996083694
Publication number (International publication number)：1997274849
Application date： Apr. 05, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：
【要約】【課題】 低電圧化のためにゲート口径が微小な電界放出型電子源を提供する。【解決手段】 (111)主面を持つSi基板101上にSi酸化膜102、タングステン(W)膜103を順に形成し、通常のフォトエッチ工程によりSi酸化膜102及びW膜103の一部を直径約0.8μmの円柱状にエッチしてSi基板101の一部を露出させる。露出したSi基板101の中央部分に金(Au)粒子104を設置し、AuとSi基板101の一部を反応させてAuSi合金105を形成する。SiCl4と水素の混合気体をSi基板101に約25分接触させ、Siエピタキシャル成長により800nmの高さのSi柱106を形成した後Si基板101を王水等に浸すことにより、AuSi合金105を除去し、微小径の柱状構造106を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板主面上の一部に金属を設ける工程と、前記半導体基板と前記金属を合金化させる工程と、前記半導体基板をエピタキシャル成長させる工程とを備えてなる電界放出型電子源の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 B
