Pat
J-GLOBAL ID:200903063898014972
半導体装置及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
井上 一
, 布施 行夫
, 大渕 美千栄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003410659
Publication number (International publication number):2005175082
Application date: Dec. 09, 2003
Publication date: Jun. 30, 2005
Summary:
【課題】 結晶欠陥や界面の荒れが改善された良好なヘテロ構造を有し、安定した特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置100は、半導体層と、半導体層上に形成されたゲート絶縁層26と、ゲート絶縁層26上に形成されたゲート電極28と、を含む。半導体層は、少なくともSiおよびGeを含む第1層(SiGe層14)と、前記第1層と異なる組成を有し、かつ少なくともSiを含む第2層(Si層13,16)と、が積層されたヘテロ構造を有し、前記第1層と前記第2層との界面領域に炭素が存在する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
半導体層と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、を含む半導体装置であって、
前記半導体層は、少なくともSiまたはGeを含むIV族元素からなる第1層と、前記第1層と異なる組成または組成比を有し、かつ少なくともSiまたはGeを含むIV族元素からなる第2層と、が積層されたヘテロ構造を有し、
前記第1層と前記第2層との界面領域に炭素が存在する、半導体装置。
IPC (5):
H01L29/786
, H01L21/20
, H01L21/205
, H01L21/336
, H01L29/78
FI (9):
H01L29/78 618G
, H01L21/20
, H01L21/205
, H01L29/78 301B
, H01L29/78 618E
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 616U
, H01L29/78 618A
, H01L29/78 301S
F-Term (77):
5F045AB01
, 5F045AB02
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045BB12
, 5F045CA06
, 5F045DA57
, 5F052JA01
, 5F052KA01
, 5F052KA05
, 5F110AA06
, 5F110AA26
, 5F110CC02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE04
, 5F110EE05
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE32
, 5F110EE33
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF23
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG12
, 5F110GG19
, 5F110GG25
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG44
, 5F110GG52
, 5F110HJ13
, 5F110HJ23
, 5F110HM02
, 5F110QQ11
, 5F140AA08
, 5F140AA24
, 5F140AC28
, 5F140AC36
, 5F140BA01
, 5F140BA02
, 5F140BA03
, 5F140BA05
, 5F140BA16
, 5F140BA17
, 5F140BB16
, 5F140BB18
, 5F140BC06
, 5F140BC12
, 5F140BC17
, 5F140BD07
, 5F140BD09
, 5F140BD12
, 5F140BE07
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF07
, 5F140BF08
, 5F140BG08
, 5F140BG12
, 5F140BG37
, 5F140BG49
, 5F140BG52
, 5F140BG53
, 5F140BH06
, 5F140BH22
, 5F140BH27
, 5F140BK10
, 5F140BK13
, 5F140BK18
, 5F140BK20
, 5F140BK21
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
MOS型電界効果トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-034263
Applicant:東北大学長
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