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J-GLOBAL ID：200903063902684066
不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993343365
Publication number (International publication number)：1995202038
Application date： Dec. 17, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高集積化が可能であり、かつプログラムおよび消去動作の特性を向上させることができる不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法を提供する。【構成】 第1導電型の半導体基板(10)の所定領域に形成された第2導電型の低濃度第1活性領域(13)を形成し、前記第1活性領域(13)の両側に第2導電型の高濃度の第2活性領域(18a)と第3活性領域(18b)とを形成し、その前記第3活性領域18bを覆う第1導電型の高濃度の第4活性領域(19で覆ったことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基板(10)の所定領域に形成された第2導電型の低濃度第1活性領域(13)と、前記第1活性領域(13)の一側に形成された第2導電型の高濃度の第2活性領域(18a)と、前記第1活性領域(13)の他側に形成された第2導電型の高濃度の第3活性領域(18b)と、前記第3活性領域(18b)を覆う第1導電型の高濃度の第4活性領域(19)と、前記第1活性領域(13)上に第1絶縁層(14)を介在して形成されたフローティングゲート(15)、および前記フローティングゲート(15)上に第2絶縁層(16)を介在して形成されたコントロルゲート(17)と、を有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (3)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
