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J-GLOBAL ID：200903063912879302

ポリチオフェン化合物およびその製造方法

Inventor： 木全 良典 ,  栗山 晃
Applicant, Patent owner： 東亞合成株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995331170
Publication number (International publication number)：1997151241
Application date： Nov. 28, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】 発光材料および半導体材料などに有用なシリル置換基を有するポリチオフェン化合物およびその製造方法を提供する。【解決手段】 式〔1〕、式〔2〕および式〔3〕で表されるポリチオフェン化合物。【化1】(R1 は炭素数4〜8の直鎖状アルキル基、R2 はメチル基または水素原子を示し、nは5〜100の正数を示す)【化2】(R3 は炭素数4〜8の直鎖状アルキル基、R4 メチル基または塩素原子を示し、nは5〜100の正数を示す)【化3】(R5 は炭素数4〜8の直鎖状アルキル基、R6 は炭素数1〜4のアルキル基を示し、nは5〜100の正数を示す)

Claim (excerpt)：

末端にヒドロシリル基を有する、式〔1〕で表されるポリチオフェン化合物。【化1】(R1 は炭素数4〜8の直鎖アルキル基、R2 はメチル基または水素原子を示し、nは5〜100の正数を示す)

IPC (2)：

C08G 61/12 NLJ ,  H05B 33/14

FI (2)：

C08G 61/12 NLJ ,  H05B 33/14