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J-GLOBAL ID：200903063928576601

半導体レーザ装置

Inventor： 近藤 正彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993000861
Publication number (International publication number)：1994204605
Application date： Jan. 07, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】In1-x-yGaxAlyP1-zAsz(0≦x≦1、0≦y≦1、0.5≦x+y≦1、0≦z≦0.5)をクラッド層とし、電流注入により室温で発振する半導体レーザ装置を提供すること。【構成】基板1上に、歪超格子活性層5と、In1-x-yGaxAlyP1-zAsz(ただしx、y、zの値は、0≦x≦1、0≦y≦1、0.5≦x+y≦1、0≦z≦0.5の範囲である)からなるクラッド層3、7とを有し、この歪超格子活性層5に隣接して、In1-x-yGaxAlyP1-zAsz(ただしx、y、zの値は、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1、0≦z≦1の範囲である)からなるガイド層4、6を配置した半導体レーザ装置。

Claim (excerpt)：

基板上に、歪活性層と、In1-x-yGaxAlyP1-zAsz(ただしx、y、zの値は、0≦x≦1、0≦y≦1、0.5≦x+y≦1、0≦z≦0.5の範囲である)からなるクラッド層とを有する半導体レーザ装置において、上記歪活性層に隣接して、In1-x-yGaxAlyP1-zAsz(ただしx、y、zの値は、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1、0≦z≦1の範囲である)からなるガイド層を配置したことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-003821