ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000106810
Publication number (International publication number)：2001290273
Application date： Apr. 07, 2000
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造におけるコンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、更にPED安定性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】特定のシリコン含有繰り返し単位と、特定の酸分解性基を有する繰り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型フォトレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位と、下記一般式(II)で表される基を有する繰り返し単位とを含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。一般式(I)【化1】式(I)中、R1〜R3は、それぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。nは0または1を表す。一般式(II)【化2】式(II)中、R11は、水素原子又はアルキル基、R12は、炭化水素基を表す。

IPC (11)：

G03F 7/039 601 , C08F220/26 , C08F222/00 , C08F230/08 , C08F232/00 , C08K 5/00 , C08L 35/00 , C08L 43/04 , C08L101/06 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027

FI (11)：

G03F 7/039 601 , C08F220/26 , C08F222/00 , C08F230/08 , C08F232/00 , C08K 5/00 , C08L 35/00 , C08L 43/04 , C08L101/06 , G03F 7/075 511 , H01L 21/30 502 R

F-Term (65)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BF05 , 2H025BF30 , 2H025BG00 , 2H025CB10 , 2H025CB14 , 2H025CB15 , 2H025CB34 , 2H025CB43 , 2H025FA17 , 4J002BG071 , 4J002BH021 , 4J002BK001 , 4J002BQ001 , 4J002EB116 , 4J002EU186 , 4J002EU216 , 4J002EV176 , 4J002EV216 , 4J002EV296 , 4J002FD200 , 4J002GP03 , 4J100AK32R , 4J100AL08Q , 4J100AM43R , 4J100AM45R , 4J100AM47R , 4J100AP16P , 4J100AR11Q , 4J100AR31Q , 4J100AR32Q , 4J100BA02Q , 4J100BA03R , 4J100BA04Q , 4J100BA05Q , 4J100BA06Q , 4J100BA10Q , 4J100BA11R , 4J100BA15Q , 4J100BA55R , 4J100BA71P , 4J100BA72P , 4J100BA77P , 4J100BA80P , 4J100BB01P , 4J100BB18R , 4J100BC04Q , 4J100BC08R , 4J100BC09Q , 4J100BC43Q , 4J100BC53Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

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