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J-GLOBAL ID：200903063939794198

表示装置とその製造法

Inventor：
沖田 彰

About 沖田 彰


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 渡辺 敬介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997130683
Publication number (International publication number)：1998054999
Application date： May. 21, 1997
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 多結晶シリコンをスイッチング素子の半導体層として用いた、アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、上記スイッチング素子のリーク電流を防止し、駆動電流が大きく且つサブスレッシュホールド領域の電流の立ち上がり特性の向上を図り、高画素、高精細な画像表示を実現する。【解決手段】 シリコン窒化膜102からなる絶縁層の表面を酸化してシリコン酸化膜111からなる表面粗さが2nm以下の絶縁層を形成し、その上に多結晶シリコン層を形成してTFTを構成する。
Claim (excerpt)：
複数の信号線と該信号線に直交する複数の走査線の各交点に薄膜トランジスタを介して画素電極を設けたアクティブマトリクス基板と、該基板に対向配置する対向電極を有した対向基板との間に液晶を挟持してなる表示装置であって、上記アクティブマトリクス基板において、上記薄膜トランジスタが、表面粗さが2nm以下である絶縁層上に設けた多結晶シリコン層を半導体層として有し、前記半導体層上にゲート電極を有することを特徴とする表示装置。
IPC (4)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 29/786
FI (4)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 29/78 612 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 薄膜状半導体素子およびその作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-238714   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 表示装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-137319   Applicant：キヤノン株式会社
  • 表示装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-137320   Applicant：キヤノン株式会社
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