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J-GLOBAL ID：200903063967492520

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 石川 照久
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992266276
Publication number (International publication number)：1994120479
Application date： Oct. 05, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】配線構造にTi、TiNバリアメタルを有する半導体素子において、優れた耐熱性、電気特性を有する半導体素子を簡便なプロセスで実現する【構成】半導体基板の所定領域に形成された不純物領域と、該不純物領域の上部に開孔部を有する層間絶縁膜と、少なくとも不純物をドープしたバリア層を有する。【効果】バリアメタルのバリア性が向上し、高アスペクト比でのボトムカバレージ悪化にに際しても、耐熱性が確保される。バリアメタルによる不純物拡散層中の不純物の吸収を抑え、良好な電気特性を得る。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板の所定領域に形成された不純物領域と、該不純物領域の上部に開孔部を有する層間絶縁膜と、少なくともチタンと窒素を主たる構成元素とするバリア層を有し、該バリア層がBNまたはAlNを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/46 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205