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J-GLOBAL ID：200903063983422338

レーザーによるシリコン同位体の高効率分離・濃縮法

Inventor： 横山 淳 ,  大場 弘則 ,  橋本 雅史 ,  柴田 猛順 ,  荒井 重義 ,  石井 武 ,  大家 暁雄
Applicant, Patent owner： 日本原子力研究所 ,  ヒル リサーチ有限会社 ,  ニユークリア・デベロップメント株式会社
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001249048
Publication number (International publication number)：2003053153
Application date： Aug. 20, 2001
Publication date： Feb. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】 単色レーザー光によるシリコン同位体の分離・濃縮法には、950cm-1付近の波数のレーザー光の照射を必要とするが、950cm-1付近の1光子吸収はどの同位体分子に対しても非常に小さいので、分子が最初に光子を吸収する効率は極めて悪く、多光子吸収の効率も悪い。従って、本発明においてはシリコン同位体のレーザー分離・濃縮法の高効率化をその課題とする。【解決手段】 レーザーによるSi2F6で代表されるシリコンのハロゲン化物の赤外多光子分解に基づく、28Si、29Si、30Siなどのシリコン同位体の分離・濃縮において、ハロゲン化物に異なる波長の複数の赤外パルスレーザー光を同期させて照射することを特徴とする分離・濃縮の高効率化法を課題解決手段とする。

Claim (excerpt)：

レーザーによるSi2F6で代表されるシリコンのハロゲン化物の赤外多光子分解に基づく、28Si、29Si、30Siなどのシリコン同位体の分離・濃縮において、ハロゲン化物に異なる波長の複数の赤外パルスレーザー光を同期させて照射することを特徴とする分離・濃縮の高効率化法。