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J-GLOBAL ID：200903063987849280

半導体装置の製造方法

Inventor：
大岡 宰

About 大岡 宰


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992062903
Publication number (International publication number)：1993267439
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：
【要約】【目的】絶縁分離構造を有する半導体複合基板を容易に製造する。【構成】第1の半導体基板1の一主面の所定部分に溝部3を形成しその底面に第1の絶縁膜5を形成する。この第1の半導体基板の一主面の他の部分を研磨してこれにより得られた鏡面研磨面12と第1の絶縁膜5の表面とを同一平坦面とし、ここに第2の半導体基板10の一主面13を圧着し、加熱処理をして半導体複合基板を形成する。
Claim (excerpt)：
第1の半導体基板の一主面の所定部分に溝部を形成する工程と、前記溝部の底面に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の半導体基板の一主面の他の部分を研磨してこれにより得られた鏡面研磨面と前記第1の絶縁膜の表面とを同一平坦面とする工程と、第2の半導体基板の一主面を前記第1の半導体基板の鏡面研磨面および第1の絶縁膜の表面に圧着し、加熱処理をして半導体複合基板を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/76 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/784
FI (2)：
H01L 27/06 102 D ,  H01L 29/78 321 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-029353
  • 特開昭61-164238
  • 特開昭62-024641
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