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J-GLOBAL ID：200903064003086929

進行プラズマ成膜方法、プラズマ焼成基材及びプラズマ成膜装置

Inventor： 滝川 浩史 ,  伊藤 之一 ,  大塚 剛史 ,  木下 暢
Applicant, Patent owner： 国立大学法人豊橋技術科学大学 ,  住友大阪セメント株式会社
Agent (1)： 三木 久巳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007069872
Publication number (International publication number)：2008231471
Application date： Mar. 19, 2007
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：

【目的】 基材に施す塗膜の焼成処理をプラズマを用いて低温処理する場合に、焼成膜の脆性化を生じず良好な膜質の成膜処理を行うことのできる進行プラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することである。【構成】本発明に係るプラズマ成膜は、成膜材により基材面に表面膜Lを形成した基材Wをプラズマ形成用電極(高圧電極及び低圧電極)に挟まれない位置に設置し、表面膜Lの膜面に向けて進行する進行プラズマPを流通させ、照射することにより表面膜Lを焼成する進行プラズマ成膜方法に基づき行われる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

成膜材により基材面に表面膜を形成した基材をプラズマ形成用電極に挟まれない位置に設置し、前記基材の表面膜に向けて進行する進行プラズマを流通させることにより前記表面膜を焼成することを特徴とする進行プラズマ成膜方法。

IPC (6)：

C23C 16/56 ,  B01J 19/08 ,  H05H 1/24 ,  H05H 1/48 ,  H05H 1/32 ,  H01L 21/288

FI (6)：

C23C16/56 ,  B01J19/08 H ,  H05H1/24 ,  H05H1/48 ,  H05H1/32 ,  H01L21/288 Z

F-Term (21)：

4G075AA24 ,  4G075BB02 ,  4G075BB10 ,  4G075CA42 ,  4G075CA47 ,  4G075CA62 ,  4G075EB41 ,  4G075EC21 ,  4G075FB02 ,  4G075FB03 ,  4G075FB04 ,  4G075FB06 ,  4G075FB12 ,  4G075FC06 ,  4G075FC15 ,  4K030BA42 ,  4K030DA08 ,  4M104BB02 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104DD77

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 金属酸化物薄膜及びその製造方法
  Gazette classification：再公表公報   Application number：JP2002010181   Applicant：株式会社先端技術インキュベーションシステムズ