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J-GLOBAL ID：200903064003438680

薄膜の形成方法

Inventor： 田村 彰良
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999239343
Publication number (International publication number)：2001064099
Application date： Aug. 26, 1999
Publication date： Mar. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Si基板上に高品質なβ-FeSi2エピタキシャル層を形成する成膜方法を提供する。【解決手段】 (100)面のn型のSi基板1をマグネトロンスパッタ装置の真空チャンバー2内に配置された基板ホルダー3に設置し、基板温度550〜650°Cで加熱しながら、スパッタガスとしてXeガスを用いてFeをスパッタ法でSi基板1上に堆積し、β-FeSi2層17を形成する。Xeは、通常スパッタ法で用いられるArガスに比して質量が大きく、スパッタ法によるFe堆積時に、Si基板がこれらのプラズマガスに暴露されることにより、Si基板表面のSi-Si結合の解離が効率的に進み、堆積されるFeとSiとの反応が促進され、高品質のβ-FeSi2エピタキシャル層が形成される。

Claim (excerpt)：

加熱したシリコン基板上に、クリプトンガスまたはキセノンガスを使用したスパッタ法を用いて鉄を堆積して、前記シリコン基板のシリコンとの反応により前記シリコン基板上にベータ鉄シリサイド層を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (4)：

C30B 29/52 ,  C30B 25/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/04

FI (4)：

C30B 29/52 ,  C30B 25/06 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 31/04 E

F-Term (24)：

4G077AA03 ,  4G077BA09 ,  4G077BE05 ,  4G077DA11 ,  4G077DA16 ,  4G077ED06 ,  4G077EE08 ,  5F051AA07 ,  5F051AA16 ,  5F051CB15 ,  5F051CB18 ,  5F051CB19 ,  5F051CB29 ,  5F051GA04 ,  5F103AA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD28 ,  5F103DD30 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK10 ,  5F103NN01 ,  5F103PP04