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J-GLOBAL ID：200903064011604475
MOSトランジスタ及びMOSトランジスタの形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995011471
Publication number (International publication number)：1996204184
Application date： Jan. 27, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ゲート電極パターンの疎密によらずしきい電圧をウエハ面内で均一に保つことができるMOSトランジスタ及びその形成方法を提供する。【構成】 基板11上にゲート絶縁膜12を介して逆テーパ形状のゲート電極13を形成する。ゲート電極13をマスクにして基板11に低濃度拡散層14を形成するための不純物を導入する。ゲート電極13の側壁にサイドウォール15を形成する。ゲート電極13及びサイドウォール15をマスクにして基板11中に拡散層17を形成するための不純物を導入し、低濃度拡散層14と拡散層17とからなるソース18及びドレイン19を形成し、MOSトランジスタ1のゲート電極13を逆ゲーパ形状にする。これによって、底面におけるゲート長方向の幅が広いサイドウォール15を形成し、サイドウォール15の幅のばらつきに対するVthの変動を小さくする。
Claim (excerpt)：
基板上のゲート電極側壁に配置されるサイドウォールと、当該サイドウォール下方における前記基板の表面部分に配置されるソース及びドレインの低濃度拡散層と、前記ゲート電極を挟んで当該低濃度拡散層と隣接する前記基板の表面部分に配置されるソース及びドレインの拡散層とを有するMOSトランジスタにおいて、前記ゲート電極は、逆テーパ形状であることを特徴とするMOSトランジスタ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 P
