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J-GLOBAL ID：200903064020417670
分布帰還型半導体レーザ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992292852
Publication number (International publication number)：1994196799
Application date： Oct. 30, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 共振器方向の電界強度分布を均一化し、同時に位相シフトを形成するのと等価な効果を得て、低歪アナログ光変調用の分布帰還半導体レーザを高歩留りで得る。【構成】 分布帰還型半導体レーザにおいて光導波路19の幅を端面付近で広く、中央付近で狭くする。これにより共振器方向の電界強度分布は均一化され、電流-光出力特性の線形性が改善される。また光導波路の等価屈折率は共振器の中央付近で小さく端面付近で大きくなり、導波路中に位相シフトを設けた場合と等価な効果が得られるために安定な単一モード発振が可能となる。したがって低歪アナログ変調用の分布帰還型半導体レーザが高歩留りで得られる。
Claim (excerpt)：
光ガイド層を含む活性領域の幅を共振器軸方向に対して端面付近で広く、中心付近で狭くしたことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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