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J-GLOBAL ID：200903064021660152

化合物半導体の表面処理方法

Inventor： 古畑 直規
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992308102
Publication number (International publication number)：1994140375
Application date： Oct. 22, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 硫化水素ガスもしくはセレン化水素ガスを用いてIII-V族化合物半導体の表面を安定化させて清浄な表面を形成する。【構成】 III-V族化合物半導体表面をライン4からの硫化水素ガスもしくはセレン化水素ガスを用いて不活性化する場合に、上記ガスを基板に照射する前に、基板を100°C以上に加熱して、ECRプラズマ発生装置6で活性化した水素(もしくは反応性ガス)をライン5から基板に向けて照射し、表面を清浄化する。このとき、反応性ガスは活性化しなくても良い。またこれらの処理は、すべて10-2Torr以下の真空雰囲気で行う。【効果】 真空中で基板を清浄化し、連続的に硫化(もしくはセレン化)処理をするので、不純物や酸化膜が付着せず、有効にSもしくはSeを表面に吸着させることができる。

Claim (excerpt)：

III-V族化合物半導体表面を硫化水素ガスもしくはセレン化水素ガスを用いて不活性化する表面処理方法において、上記ガスを基板に照射する前に、基板を100°C以上に加熱して、活性化した水素、もしくは反応性ガスを基板に照射することを特徴とする化合物半導体の表面処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/203