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J-GLOBAL ID：200903064027736843

強誘電体薄膜の形成方法

Inventor： 石原 数也 ,  大西 茂夫 ,  駒井 真也
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993001668
Publication number (International publication number)：1993251351
Application date： Jan. 08, 1993
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 酸素空孔がなく、電界を印加してもリーク電流の発生がなく誘電率を高く維持しうる強誘電性酸化膜の結晶化方法を提供する。【構成】 酸素原子雰囲気下で、ペロブスカイト構造の結晶を形成しうる強誘電性酸化膜を所定温度に加熱することによって結晶欠陥を補償して結晶化させる。

Claim (excerpt)：

酸素原子雰囲気下で、ペロブスカイト構造の結晶を形成しうる強誘電性酸化膜を所定温度に加熱することによって結晶欠陥を補償して結晶化させることを特徴とする強誘電性酸化膜の結晶化方法。