Pat
J-GLOBAL ID：200903064035127732
半導体光電変換装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
古谷 栄男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993116778
Publication number (International publication number)：1994334206
Application date： May. 19, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 大きな起電圧を得ることができる半導体光電変換装置を提供する。【構成】 単一光電変換素子21は、下部電極11、光電変換素子部10、接続部13および上部電極12を備えており、絶縁膜7上に設けられる。光電変換素子部10は、P型半導体層3、I型半導体層4およびN型半導体層5を有するとともに、その側壁には絶縁性のサイドウォール14、15が形成されている。サイドウォール15上に形成された接続部13は、上部電極12と隣接する光電変換素子の下部電極11とを接続する。【効果】 単一光電変換素子を直列接続することができるとともに、光電変換素子に光を効率的に入射させることができる。
Claim (excerpt)：
複数の単一光電変換素子を備えた半導体光電変換装置において、前記各単一光電変換素子は、平面的に配置されるとともに、直列接続されていること、を特徴とする半導体光電変換装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 31/04 S
, H01L 27/14 C
