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J-GLOBAL ID：200903064043548747

半導体の検査方法

Inventor： 井古田 まさみ ,  杉本 有俊 ,  増田 弘生
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996333378
Publication number (International publication number)：1998173019
Application date： Dec. 13, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】 検査感度を向上する。【解決手段】 半導体装置の製造工程内で、画像信号又は散乱・回折光信号を所定の閾値と比較し、異物・欠陥を抽出する検査方法において、異物・欠陥検出閾値をウエハ中心からの距離r、回転角θの関数を設定する。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造工程内で、画像信号又は散乱・回折光信号を所定の閾値と比較し、異物・欠陥を抽出する検査方法において、異物・欠陥検出閾値をウエハ中心からの距離r、回転角θの関数を設定することを特徴とする半導体の検査方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/30 ,  G01N 21/88

FI (3)：

H01L 21/66 J ,  G01B 11/30 D ,  G01N 21/88 E